» » » Ёмкость р–n-перехода

Физика / Полупроводниковая электроника

Ёмкость р–n-перехода

Изменение внешнего напряжения на p–n-переходе приводит к изменению ширины обедненного слоя и, соответственно, накопленного в нем электрического заряда (это также обусловлено изменением концентрации инжектированных носителей заряда вблизи перехода). Исходя их этого p–n-переход ведет себя подобно конденсатору, ёмкость которого определяется как отношение изменения накопленного в p–n-переходе заряда к обусловившему это изменение приложенному внешнему напряжению.

Различают барьерную (или зарядную) и диффузионную ёмкость р-n-перехода.

Барьерная ёмкость соответствует обратновключенному p–n-переходу, который рассматривается как обычный конденсатор, где пластинами являются границы обедненного слоя, а сам обедненный слой служит несовершенным диэлектриком с увеличенными диэлектрическими потерями:

, (1.19)
где   относительная диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала;   – электрическая постоянная (   ); S – площадь p–n-перехода;   – ширина обеднённого слоя.
 

Барьерная ёмкость возрастает при увеличении площади p–n-перехода и диэлектрической проницаемости полупроводника и уменьшении ширины обедённого слоя. В зависимости от площади перехода Сбар может быть от единиц до сотен пикофарад.

Особенностью барьерной ёмкости является то, что она является нелинейной ёмкостью. При возрастании обратного напряжения ширина перехода увеличивается и ёмкость Сбар уменьшается. Характер зависимости Сбар = f (Uобрпоказывает график на рис. 1.22. Как видно, под влиянием Uпроб ёмкость Сбар изменяется в несколько раз.

Диффузионная ёмкость характеризует накопление подвижных носителей заряда в n- и p-областях при прямом напряжении на переходе. Она практически существует только при прямом напряжении, когда носители заряда диффундируют (инжектируют) в большом количестве через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в n- и p-областях. Каждому значению прямого напряжения соответствуют определенные значения двух разноименных зарядов + Qдиф и -Qдиф , накопленных в n- и p-областях за счет диффузии носителей через переход. Ёмкость Сдиф представляет собой отношение зарядов к разности потенциалов:

 , (1.20)

С увеличением Uпр прямой ток растет быстрее, чем напряжение, т.к. вольт-амперная характеристика для прямого тока имеет нелинейный вид, поэтому Qдиф растет быстрее, чем Uпр и Сдиф увеличивается.

Диффузионная ёмкость значительно больше барьерной, но использовать ее не удается, т.к. она оказывается шунтированной малым прямым сопротивлением p–n-перехода. Численные оценки величины диффузионной ёмкости показывают, что ее значение доходит до нескольких единиц микрофарад.

Таким образом, р–n-переход можно использовать в качестве конденсатора переменной ёмкости,

управляемого величиной и знаком приложенного напряжения.


 
Теги

Похожие новости

Комменатрии к новости

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Написать свой комментарий:

Присоединяйтесь

Science21 — портал о самых горячих технологических трендах и новых технологиях.

Реклама на сайте

Цитата

Процесс научных открытий — это, в сущности, непрерывное бегство от чудес.

(Альберт Эйнштейн)