» » » Вольт-амперная характеристика р–n-перехода

Физика / Полупроводниковая электроника

Вольт-амперная характеристика р–n-перехода

 
Вольт-амперная характеристика p–n-перехода – это зависимость тока через p–n-переход от величины приложенного к нему напряжения. Ее рассчитывают исходя из предположения, что электрическое поле вне обедненного слоя отсутствует, т.е. все напряжение приложено к p–n-переходу. Общий ток через p–n-переход определяется суммой четырех слагаемых: , (1.15),
где  электронный ток дрейфа;
 дырочный ток дрейфа;
 - электронный ток диффузии;
  дырочный ток диффузии; 
 концентрация электронов, инжектированных в р- область;
 концентрация дырок, инжектированных в n- область.

При этом концентрации неосновных носителей np0 и pn0 зависят от концентрации примесей Np и Nn следующим образом:

 

где ni , pi – собственные концентрации носителей зарядов (без примеси) электронов и дырок соответственно.

Скорость диффузии носителей заряда υ n, p диф можно допустить близкой к их скорости дрейфа υ n, p др в слабом электрическом поле при небольших отклонениях от условий равновесия. В этом случае для условий равновесия выполняются следующие равенства:

υ p диф = υ p др = υ p , υ nдиф = υ n др = υ n .

Тогда выражение (1.15) можно записать в виде:
   Обратный ток  можно выразить следующим образом:
 

где Dn, p – коэффициент диффузии дырок или электронов;

Ln, p – диффузионная длина дырок или электронов. Так как параметры D n, p , pn0 , np0 , Ln, =   зависят от температуры, то обратный ток  чаще называют тепловым током.

 

При прямом напряжении внешнего источника (Uвн > 0 ) экспоненциальный член  в выражении (1.16) быстро возрастает, что приводит к быстрому росту прямого тока, который, как уже было отмечено, в основном определяется диффузионной составляющей.

При обратном напряжении внешнего источника

(  ) экспоненциальный член много меньше единицы и ток р–n-перехода практически равен обратному току  , определяемому, в основном, дрейфовой составляющей. Вид этой зависимости представлен на рис. 1.19. Первый квадрант соответствует участку прямой ветви вольт-амперной характеристики, а третий квадрант – обратной ветви. При увеличении прямого напряжения ток р–n-перехода в прямом направлении вначале возрастает относительно медленно, а затем начинается участок быстрого нарастания прямого тока, что приводит к дополнительному нагреванию полупроводниковой структуры. Если количество выделяемого при этом тепла будет превышать количество тепла, отводимого от полупроводникового кристалла либо естественным путем, либо с помощью

специальных устройств охлаждения, то могут произойти в полупроводниковой структуре необратимые изменения вплоть до разрушения кристаллической решетки. Поэтому прямой ток р–n-перехода необходимо ограничивать на безопасном уровне, исключающем перегрев полупроводниковой структуры. Для этого необходимо использовать ограничительное сопротивление последовательно подключенное с p–n-переходом.

При увеличении обратного напряжения, приложенного к р–n-переходу, обратный ток изменяется незначительно, так как дрейфовая составляющая тока, являющаяся превалирующей при обратном включении, зависит в основном от температуры кристалла, а увеличение обратного напряжения приводит лишь к увеличению скорости дрейфа неосновных носителей без изменения их количества. Такое положение будет сохраняться до величины обратного напряжения, при котором начинается интенсивный рост обратного тока – так называемый пробой р–n-перехода.

Теги

Похожие новости

Комменатрии к новости

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Написать свой комментарий:

Присоединяйтесь

Science21 — портал о самых горячих технологических трендах и новых технологиях.

Реклама на сайте

Цитата

Процесс научных открытий — это, в сущности, непрерывное бегство от чудес.

(Альберт Эйнштейн)