Области вблизи контакта полупроводников с одним типом проводимости, но с различной концентрацией примесей, обычно обозначаютp+ – pилиn+ – n-переход, причем знаком «+» обозначают полупроводник с большей концентрацией примесей. На рис. 1.25 приведен пример контактаp+ - p, где обе области полупроводника обладают электропроводностьюр-типа. Процессы вблизи такого контакта аналогичны происходящим вр–n-переходе, т.е. носители из области с большой концентрацией переходят в область с меньшей концентрацией, в результате чего в областиp+возникает объемный заряд из нескомпенсированных зарядов ионов примеси, а в областиp– объемный заряд из избыточных носителей – дырок, перешедших из областиp+. Появление объемных электрических зарядов приводит к образованию диффузионного электрического поля Eдифи контактной разности потенциалов. Но в отличие от обычныхр–n-переходов здесь отсутствует запирающий слой, так как здесь не может быть области с концентрацией меньшей, чем в слаболегированном полупроводнике. Поэтому такие контакты вентильным свойством не обладают, но зато в них при любой полярности приложенного напряжения не происходит инжекции из низкоомной области в высокоомную, что является важным для некоторых типов полупроводниковых приборов. Аналогичные процессы протекают в контактеn+ – n.
В природе не может существовать односторонних действий тел. Тогда же было указано, что этот...
Комменатрии к новости
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Комменатрии к новости