Примесная электропроводность полупроводников
Электропроводность полупроводника может обуславливаться не только генерацией пар носителей...
Физика / Полупроводниковая электроника
Контакт между полупроводниками одного типа проводимости
Области вблизи контакта полупроводников с одним типом проводимости, но с различной концентрацией примесей, обычно обозначают p+ – p или n+ – n -переход, причем знаком «+» обозначают полупроводник с большей концентрацией примесей. На рис. 1.25 приведен пример контакта p+ - p , где обе области полупроводника обладают электропроводностью р-типа.
Процессы вблизи такого контакта аналогичны происходящим в р–n-переходе, т.е. носители из области с большой концентрацией переходят в область с меньшей концентрацией, в результате чего в области p+ возникает объемный заряд из нескомпенсированных зарядов ионов примеси, а в области p – объемный заряд из избыточных носителей – дырок, перешедших из области p+ . Появление объемных электрических зарядов приводит к образованию диффузионного электрического поля Eдиф и контактной разности потенциалов. Но в отличие от обычных р–n-переходов здесь отсутствует запирающий слой, так как здесь не может быть области с концентрацией меньшей, чем в слаболегированном полупроводнике. Поэтому такие контакты вентильным свойством не обладают, но зато в них при любой полярности приложенного напряжения не происходит инжекции из низкоомной области в высокоомную, что является важным для некоторых типов полупроводниковых приборов. Аналогичные процессы протекают в контакте n+ – n .
Комменатрии к новости