» » » Контакт между полупроводниками одного типа проводимости

Физика / Полупроводниковая электроника

Контакт между полупроводниками одного типа проводимости

 
Области вблизи контакта полупроводников с одним типом проводимости, но с различной концентрацией примесей, обычно обозначают p+ – p или n+ – n -переход, причем знаком «+» обозначают полупроводник с большей концентрацией примесей. На рис. 1.25 приведен пример контакта p+ - p , где обе области полупроводника обладают электропроводностью р-типа.
 Процессы вблизи такого контакта аналогичны происходящим в р–n-переходе, т.е. носители из области с большой концентрацией переходят в область с меньшей концентрацией, в результате чего в области p+ возникает объемный заряд из нескомпенсированных зарядов ионов примеси, а в области p – объемный заряд из избыточных носителей – дырок, перешедших из области p+ . Появление объемных электрических зарядов приводит к образованию диффузионного электрического поля Eдиф и контактной разности потенциалов. Но в отличие от обычных р–n-переходов здесь отсутствует запирающий слой, так как здесь не может быть области с концентрацией меньшей, чем в слаболегированном полупроводнике. Поэтому такие контакты вентильным свойством не обладают, но зато в них при любой полярности приложенного напряжения не происходит инжекции из низкоомной области в высокоомную, что является важным для некоторых типов полупроводниковых приборов. Аналогичные процессы протекают в контакте n+ – n .
Теги

Похожие новости

Комменатрии к новости

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Написать свой комментарий:

Присоединяйтесь

Science21 — портал о самых горячих технологических трендах и новых технологиях.

Реклама на сайте

Цитата

Процесс научных открытий — это, в сущности, непрерывное бегство от чудес.

(Альберт Эйнштейн)